2SK2009TE85LF

MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
2SK2009TE85LF P1
2SK2009TE85LF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ 2SK2009TE85LF

номер части
2SK2009TE85LF
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- 2SK2009TE85LF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части 2SK2009TE85LF
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 200mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs -
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 70pF @ 3V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 200mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 50MA, 2.5V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика SC-59-3
Упаковка / чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

сопутствующие товары

Все продукты