TH58NVG3S0HBAI4

8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
TH58NVG3S0HBAI4 P1
TH58NVG3S0HBAI4 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Toshiba Memory America, Inc. ~ TH58NVG3S0HBAI4

Artikelnummer
TH58NVG3S0HBAI4
Hersteller
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer TH58NVG3S0HBAI4
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat FLASH
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße 8Gb (1G x 8)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 25ns
Zugriffszeit 25ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 63-VFBGA
Lieferantengerätepaket 63-TFBGA (9x11)

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