TH58NVG2S3HBAI4

4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR
TH58NVG2S3HBAI4 P1
TH58NVG2S3HBAI4 P1
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Toshiba Memory America, Inc. ~ TH58NVG2S3HBAI4

Artikelnummer
TH58NVG2S3HBAI4
Hersteller
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Artikelnummer TH58NVG2S3HBAI4
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat FLASH
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße 4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 25ns
Zugriffszeit -
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 63-BGA
Lieferantengerätepaket 63-BGA (9x11)

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