CSD23201W10

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
CSD23201W10 P1
CSD23201W10 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Texas Instruments ~ CSD23201W10

Artikelnummer
CSD23201W10
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
CSD23201W10.pdf CSD23201W10 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer CSD23201W10
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 6V
Vgs (Max) -6V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 500mA, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 4-DSBGA (1x1)
Paket / Fall 4-UFBGA, DSBGA

Verwandte Produkte

Alle Produkte