CSD23201W10

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
CSD23201W10 P1
CSD23201W10 P1
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Texas Instruments ~ CSD23201W10

Número de pieza
CSD23201W10
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
CSD23201W10.pdf CSD23201W10 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza CSD23201W10
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.2A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 6V
Vgs (Max) -6V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 500mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 4-DSBGA (1x1)
Paquete / caja 4-UFBGA, DSBGA

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