NTMFS6H818NT1G

TRENCH 8 80V NFET
NTMFS6H818NT1G P1
NTMFS6H818NT1G P1
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ON Semiconductor ~ NTMFS6H818NT1G

Artikelnummer
NTMFS6H818NT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRENCH 8 80V NFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer NTMFS6H818NT1G
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 123A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 190µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 40V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fall 8-PowerTDFN, 5 Leads

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