NTMFS6H818NT1G

TRENCH 8 80V NFET
NTMFS6H818NT1G P1
NTMFS6H818NT1G P1
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ON Semiconductor ~ NTMFS6H818NT1G

品番
NTMFS6H818NT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
TRENCH 8 80V NFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NTMFS6H818NT1G PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 NTMFS6H818NT1G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 80V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A (Ta), 123A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 190µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 46nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3100pF @ 40V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.8W (Ta), 136W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN, 5 Leads

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