NJX1675PDR2G

TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
NJX1675PDR2G P1
NJX1675PDR2G P1
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ON Semiconductor ~ NJX1675PDR2G

Artikelnummer
NJX1675PDR2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
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Artikelnummer NJX1675PDR2G
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 30V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V
Leistung max 2W
Frequenz - Übergang 100MHz, 120MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC

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