NJX1675PDR2G

TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
NJX1675PDR2G P1
NJX1675PDR2G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ NJX1675PDR2G

номер части
NJX1675PDR2G
производитель
ON Semiconductor
Описание
TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- NJX1675PDR2G PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части NJX1675PDR2G
Статус детали Obsolete
Тип транзистора NPN, PNP
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 3A
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 30V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V
Мощность - макс. 2W
Частота - переход 100MHz, 120MHz
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика 8-SOIC

сопутствующие товары

Все продукты