S200-50

TRANS RF BIPO 110V 30A 55HX
S200-50 P1
S200-50 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ S200-50

Artikelnummer
S200-50
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
TRANS RF BIPO 110V 30A 55HX
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer S200-50
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 110V
Frequenz - Übergang 1.5MHz ~ 30MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) -
Gewinnen 12dB ~ 14.5dB
Leistung max 320W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 30A
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall 55HX
Lieferantengerätepaket 55HX

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