S200-50

TRANS RF BIPO 110V 30A 55HX
S200-50 P1
S200-50 P1
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Microsemi Corporation ~ S200-50

Número de pieza
S200-50
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
TRANS RF BIPO 110V 30A 55HX
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
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Número de pieza S200-50
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 110V
Frecuencia - Transición 1.5MHz ~ 30MHz
Figura de ruido (dB Typ @ f) -
Ganancia 12dB ~ 14.5dB
Potencia - Max 320W
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja 55HX
Paquete de dispositivo del proveedor 55HX

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