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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT30M40B2VFRG |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 300V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 425nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | T-MAX™ [B2] |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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APT30D100BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | 0 | Einzelheiten | |
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APT30D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 | - | 31 | Einzelheiten |
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APT30D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 | - | 564 | Einzelheiten |
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APT30D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | - | 17 | Einzelheiten |
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APT30D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | - | 2903 | Einzelheiten |
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APT30D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT30D20BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | - | 125 | Einzelheiten |
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APT30D20BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT30D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 30A TO247 | - | 77 | Einzelheiten |
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APT30D30BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247 | - | 3 | Einzelheiten |
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APT30D30BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 30A TO247 | - | 111 | Einzelheiten |
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APT30D40BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247 | - | 4 | Einzelheiten |