| номер части | APT30M40B2VFRG |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 300V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 76A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 425nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | - |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 10200pF @ 25V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - |
| Рабочая Температура | - |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | T-MAX™ [B2] |
| Упаковка / чехол | TO-247-3 Variant |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT30D100BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | 0 | подробности | |
 |
APT30D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 | - | 31 | подробности |
 |
APT30D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 | - | 564 | подробности |
 |
APT30D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | - | 17 | подробности |
 |
APT30D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | - | 2903 | подробности |
 |
APT30D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | - | 0 | подробности |
 |
APT30D20BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | - | 125 | подробности |
 |
APT30D20BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | - | 0 | подробности |
 |
APT30D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 30A TO247 | - | 77 | подробности |
 |
APT30D30BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247 | - | 3 | подробности |
 |
APT30D30BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 30A TO247 | - | 111 | подробности |
 |
APT30D40BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247 | - | 4 | подробности |
