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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | FQB6N50TM |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 2.8A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |