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| Número de pieza | FQB6N50TM |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 2.8A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQB10N20CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK | 0 | Detalles | |
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FQB10N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK | 0 | Detalles | |
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FQB10N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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FQB10N50CFTM-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 10A DPAK | - | 36841 | Detalles |
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FQB10N50CFTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 10A DPAK | - | 0 | Detalles |
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FQB10N60CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK | 0 | Detalles | |
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FQB11N40CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK | - | 800 | Detalles |
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FQB11N40TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK | 0 | Detalles | |
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FQB11P06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK | - | 800 | Detalles |
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FQB12N50TM_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK | 0 | Detalles | |
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FQB12N60CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK | 0 | Detalles | |
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FQB12N60TM_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK | 0 | Detalles |