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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DMTH43M8LPSQ-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3.367nF @ 20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.7W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI5060-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DMTH4004LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 100A TO252 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMTH4004LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 100A TO252 | - | 2500 | Einzelheiten |
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DMTH4004LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 26A POWERDI | - | 0 | Einzelheiten |
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DMTH4004SCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R | - | 0 | Einzelheiten |
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DMTH4004SCTBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 100A TO263 | - | 800 | Einzelheiten |
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DMTH4004SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMTH4004SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 100A TO252 | - | 12500 | Einzelheiten |
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DMTH4004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMTH4004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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DMTH4005SCT | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 100A TO220AB | - | 4450 | Einzelheiten |
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DMTH4005SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 95A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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DMTH4005SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 95A TO252 | - | 2500 | Einzelheiten |