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Diodes Incorporated ~ DMTH4005SCT

Artikelnummer	DMTH4005SCT
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	49.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3062pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220AB
Paket / Fall	TO-220-3

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
DMTH10H005LCT	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB	-	0	Einzelheiten
DMTH10H005SCT	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB	-	38691	Einzelheiten
DMTH10H010LCT	Diodes Incorporated	MOSFET 100V 108A TO220AB	-	79	Einzelheiten
DMTH10H010LCTB-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R	-	2400	Einzelheiten
DMTH10H010LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50	-	103814	Einzelheiten
DMTH10H010SCT	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T	-	48383	Einzelheiten
DMTH10H010SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8	-	103814	Einzelheiten
DMTH10H010SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50	-	75165	Einzelheiten
DMTH10H015LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 100V 52.5A TO252	-	25000	Einzelheiten
DMTH10H015LPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI	-	5000	Einzelheiten
DMTH10H015SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50	-	123776	Einzelheiten
DMTH10H015SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50	-	103106	Einzelheiten