DMN2022UFDF-13

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
DMN2022UFDF-13 P1
DMN2022UFDF-13 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMN2022UFDF-13

Artikelnummer
DMN2022UFDF-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer DMN2022UFDF-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 907pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 660mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 4A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad

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