DMN2005K-7

MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
DMN2005K-7 P1
DMN2005K-7 P2
DMN2005K-7 P1
DMN2005K-7 P2
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Diodes Incorporated ~ DMN2005K-7

Artikelnummer
DMN2005K-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer DMN2005K-7
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 2.7V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 350mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.7 Ohm @ 200mA, 2.7V
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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