DMG4822SSD-13

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
DMG4822SSD-13 P1
DMG4822SSD-13 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMG4822SSD-13

Artikelnummer
DMG4822SSD-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- DMG4822SSD-13 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer DMG4822SSD-13
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 478.9pF @ 16V
Leistung max 1.42W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

Verwandte Produkte

Alle Produkte