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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DMG4800LK3-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 798pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.71W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 9A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DMG4800LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN | - | 0 | Einzelheiten |
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DMG4800LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A TO252 | - | 20000 | Einzelheiten |
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DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO | - | 15000 | Einzelheiten |
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DMG4812SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO | - | 92500 | Einzelheiten |
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DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO | - | 5000 | Einzelheiten |
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DMG4822SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8 | - | 163068 | Einzelheiten |