VS-GT400TH60N

IGBT 600V 530A 1600W DIAP
VS-GT400TH60N P1
VS-GT400TH60N P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GT400TH60N

Parça numarası
VS-GT400TH60N
Üretici firma
Vishay Semiconductor Diodes Division
Açıklama
IGBT 600V 530A 1600W DIAP
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- VS-GT400TH60N PDF online browsing
Aile
Transistörler - IGBT'ler - Modüller
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası VS-GT400TH60N
Parça Durumu Active
IGBT Tipi Trench
Yapılandırma Half Bridge
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) 600V
Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) 530A
Maksimum güç 1600W
Vce (açık) (Maks) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 400A
Akım - Kollektör Kesilmesi (Maks.) 5mA
Giriş Kapasitesi (Cies) @ Vce 30.8nF @ 30V
Giriş Standard
NTC Termistor No
Çalışma sıcaklığı 175°C (TJ)
Montaj tipi Chassis Mount
Paket / Durum Double INT-A-PAK (3 + 8)
Tedarikçi Aygıt Paketi Double INT-A-PAK

ilgili ürünler

Tüm ürünler