VS-GT400TH60N

IGBT 600V 530A 1600W DIAP
VS-GT400TH60N P1
VS-GT400TH60N P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GT400TH60N

номер части
VS-GT400TH60N
производитель
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание
IGBT 600V 530A 1600W DIAP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- VS-GT400TH60N PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части VS-GT400TH60N
Статус детали Active
Тип IGBT Trench
конфигурация Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 530A
Мощность - макс. 1600W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 400A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 30.8nF @ 30V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Double INT-A-PAK (3 + 8)
Пакет устройств поставщика Double INT-A-PAK

сопутствующие товары

Все продукты