SQJ244EP-T1_GE3

MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
SQJ244EP-T1_GE3 P1
SQJ244EP-T1_GE3 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SQJ244EP-T1_GE3

Parça numarası
SQJ244EP-T1_GE3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SQJ244EP-T1_GE3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Diziler
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SQJ244EP-T1_GE3
Parça Durumu Active
FET Tipi 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Özelliği Standard
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 40V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Maksimum güç 27W (Tc), 48W (Tc)
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum PowerPAK® SO-8 Dual
Tedarikçi Aygıt Paketi PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

ilgili ürünler

Tüm ürünler