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| Numero di parte | SQJ244EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 45nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V |
| Potenza - Max | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SQJ244EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L | - | 102107 | Dettagli |