Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SQJ244EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 45nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V |
| Leistung max | 27W (Tc), 48W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQJ244EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L | - | 102107 | Einzelheiten |