EPC2007C

TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
EPC2007C P1
EPC2007C P2
EPC2007C P1
EPC2007C P2
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

EPC ~ EPC2007C

Parça numarası
EPC2007C
Üretici firma
EPC
Açıklama
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
EPC2007C.pdf EPC2007C PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası EPC2007C
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji GaNFET (Gallium Nitride)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 100V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 6A (Ta)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 50V
Vgs (Maks.) +6V, -4V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) -
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6A, 5V
Çalışma sıcaklığı -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi Die Outline (5-Solder Bar)
Paket / Durum Die

ilgili ürünler

Tüm ürünler