EPC2007C

TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
EPC2007C P1
EPC2007C P2
EPC2007C P1
EPC2007C P2
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EPC ~ EPC2007C

Numero di parte
EPC2007C
fabbricante
EPC
Descrizione
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte EPC2007C
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 50V
Vgs (massimo) +6V, -4V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6A, 5V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Die Outline (5-Solder Bar)
Pacchetto / caso Die

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