EPC2007C

TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
EPC2007C P1
EPC2007C P2
EPC2007C P1
EPC2007C P2
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EPC ~ EPC2007C

Numéro d'article
EPC2007C
Fabricant
EPC
La description
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article EPC2007C
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 50V
Vgs (Max) +6V, -4V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6A, 5V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur Die Outline (5-Solder Bar)
Paquet / cas Die

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