SI1079X-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
SI1079X-T1-GE3 P1
SI1079X-T1-GE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SI1079X-T1-GE3

номер части
SI1079X-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SI1079X-T1-GE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SI1079X-T1-GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.44A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 26nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±12V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 750pF @ 15V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 330mW (Ta)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика SC-89-6
Упаковка / чехол SOT-563, SOT-666

сопутствующие товары

Все продукты