SI1079X-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
SI1079X-T1-GE3 P1
SI1079X-T1-GE3 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Vishay Siliconix ~ SI1079X-T1-GE3

Artikelnummer
SI1079X-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- SI1079X-T1-GE3 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer SI1079X-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.44A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 15V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 330mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-89-6
Paket / Fall SOT-563, SOT-666

Verwandte Produkte

Alle Produkte