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| 品番 | SI1079X-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.44A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 100 mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 26nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 750pF @ 15V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 330mW (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-89-6 |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SI1070X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F | - | 0 | 詳細 |
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SI1070X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F | - | 18000 | 詳細 |
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SI1072X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F | - | 0 | 詳細 |
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SI1072X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V SC89 | - | 0 | 詳細 |
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SI1073X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 | - | 0 | 詳細 |
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SI1073X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 | - | 0 | 詳細 |
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SI1077X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V SC89-6 | - | 30000 | 詳細 |
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SI1078X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F | - | 0 | 詳細 |
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SI1079X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6 | - | 473848 | 詳細 |