IPD50R650CE

MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
IPD50R650CE P1
IPD50R650CE P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPD50R650CE

номер части
IPD50R650CE
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPD50R650CE.pdf IPD50R650CE PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPD50R650CE
Статус детали Discontinued at Digi-Key
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6.1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 342pF @ 100V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 47W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 1.8A, 13V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

сопутствующие товары

Все продукты