IPD50R650CE

MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
IPD50R650CE P1
IPD50R650CE P1
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Infineon Technologies ~ IPD50R650CE

Artikelnummer
IPD50R650CE
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IPD50R650CE.pdf IPD50R650CE PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IPD50R650CE
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 342pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 47W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 1.8A, 13V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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