BOM

IPD30N06S2L13ATMA4

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные › IPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4 P1
IPD30N06S2L13ATMA4 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPD30N06S2L13ATMA4

номер части
IPD30N06S2L13ATMA4
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPD30N06S2L13ATMA4.pdf IPD30N06S2L13ATMA4 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPD30N06S2L13ATMA4
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 55V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 80µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 69nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1800pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 136W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 30A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3-11
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

сопутствующие товары

Все продукты

Образ номер части Производители Описание PDF В наличии Посмотреть
IPD30N03S2L07ATMA1 IPD30N03S2L07ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 - 0 подробности
IPD30N03S2L10ATMA1 IPD30N03S2L10ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 - 0 подробности
IPD30N03S2L20ATMA1 IPD30N03S2L20ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 - 0 подробности
IPD30N03S4L-09 IPD30N03S4L-09 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 - 0 подробности
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 - 191967 подробности
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 - 5000 подробности
IPD30N06S2-15 IPD30N06S2-15 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 - 0 подробности
IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 5000 подробности
IPD30N06S223ATMA1 IPD30N06S223ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 - 0 подробности
IPD30N06S223ATMA2 IPD30N06S223ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 0 подробности
IPD30N06S2L-13 IPD30N06S2L-13 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 - 0 подробности
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 5000 подробности