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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPD30N06S2L13ATMA4 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 136W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 30A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3-11 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPD30N03S2L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPD30N03S2L10ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPD30N03S2L20ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPD30N03S4L-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPD30N03S4L09ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | - | 191967 | Einzelheiten |
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IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | - | 5000 | Einzelheiten |
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IPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPD30N06S215ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | 5000 | Einzelheiten | |
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IPD30N06S223ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPD30N06S223ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPD30N06S2L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPD30N06S2L13ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | 5000 | Einzelheiten |