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| Numero di parte | IPD30N06S2L13ATMA4 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-11 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPD30N03S2L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD30N03S2L10ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD30N03S2L20ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD30N03S4L-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD30N03S4L09ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | - | 191967 | Dettagli |
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IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | - | 5000 | Dettagli |
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IPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD30N06S215ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | 5000 | Dettagli | |
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IPD30N06S223ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD30N06S223ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | 0 | Dettagli | |
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IPD30N06S2L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD30N06S2L13ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | 5000 | Dettagli |