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| 品番 | IRF634B-FP001 |
|---|---|
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 250V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.1A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 450 mOhm @ 4.05A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 38nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1000pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 74W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IRF630 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 | - | 10202 | 詳細 |
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IRF630BTSTU_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 | 0 | 詳細 | |
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IRF630B_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 | 0 | 詳細 | |
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IRF630FP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP | - | 0 | 詳細 |
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IRF630L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A TO-262 | - | 0 | 詳細 |
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IRF630NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 | 0 | 詳細 | |
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IRF630NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 | 0 | 詳細 | |
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IRF630NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB | 2361 | 詳細 | |
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IRF630NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | 0 | 詳細 | |
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IRF630NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | 0 | 詳細 | |
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IRF630NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | 1600 | 詳細 | |
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IRF630NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | 0 | 詳細 |