IRF630NL

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
IRF630NL P1
IRF630NL P1
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Infineon Technologies ~ IRF630NL

品番
IRF630NL
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRF630NL
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9.3A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 35nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 575pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 82W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 300 mOhm @ 5.4A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-262
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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