Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | IRF634B-FP001 |
|---|---|
| Parça Durumu | Not For New Designs |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 250V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 8.1A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 4.05A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±30V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 74W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-220AB |
| Paket / Durum | TO-220-3 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF630 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 | - | 10202 | ayrıntılar |
 |
IRF630BTSTU_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IRF630B_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IRF630FP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF630L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A TO-262 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF630NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IRF630NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IRF630NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB | 2361 | ayrıntılar | |
 |
IRF630NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | 0 | ayrıntılar | |
 |
IRF630NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | 0 | ayrıntılar | |
 |
IRF630NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | 1600 | ayrıntılar | |
 |
IRF630NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | 0 | ayrıntılar |