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| 品番 | IPS65R1K0CEAKMA2 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.2A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 200µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 15.3nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 328pF @ 100V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 68W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO251-3-342 |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IPS65R1K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3 | 0 | 詳細 | |
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IPS65R1K0CEAKMA2 | Infineon Technologies | CONSUMER | - | 191900 | 詳細 |
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IPS65R1K4C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251 | - | 1607 | 詳細 |
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IPS65R1K5CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-251-3 | 3076 | 詳細 | |
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IPS65R400CEAKMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | 0 | 詳細 | |
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IPS65R600E6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-251-3 | 0 | 詳細 | |
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IPS65R650CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOLMOS 650V TO251-3 | 0 | 詳細 | |
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IPS65R950C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251 | - | 49 | 詳細 |