IPS65R1K0CEAKMA1

MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
IPS65R1K0CEAKMA1 P1
IPS65R1K0CEAKMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPS65R1K0CEAKMA1

品番
IPS65R1K0CEAKMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPS65R1K0CEAKMA1.pdf IPS65R1K0CEAKMA1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IPS65R1K0CEAKMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.3A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 200µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 15.3nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 328pF @ 100V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 37W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-251
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak

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