IPS65R1K0CEAKMA2

CONSUMER
IPS65R1K0CEAKMA2 P1
IPS65R1K0CEAKMA2 P1
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Infineon Technologies ~ IPS65R1K0CEAKMA2

Numero di parte
IPS65R1K0CEAKMA2
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
CONSUMER
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IPS65R1K0CEAKMA2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.3nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 328pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO251-3-342
Pacchetto / caso TO-251-3 Stub Leads, IPak

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