MBR200150CT

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
MBR200150CT P1
MBR200150CT P1
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GeneSiC Semiconductor ~ MBR200150CT

Numéro d'article
MBR200150CT
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Matrices
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Numéro d'article MBR200150CT
État de la pièce Active
Configuration de diode 1 Pair Common Cathode
Type de diode Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 150V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) 100A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 880mV @ 100A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 3mA @ 150V
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Twin Tower
Package de périphérique fournisseur Twin Tower

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