MBR200150CT

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
MBR200150CT P1
MBR200150CT P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

GeneSiC Semiconductor ~ MBR200150CT

Artikelnummer
MBR200150CT
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MBR200150CT.pdf MBR200150CT PDF online browsing
Familie
Dioden - Gleichrichter - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer MBR200150CT
Teilstatus Active
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode
Dioden-Typ Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 150V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 880mV @ 100A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 3mA @ 150V
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Twin Tower
Lieferantengerätepaket Twin Tower

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