MBR200200CTR

DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
MBR200200CTR P1
MBR200200CTR P1
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GeneSiC Semiconductor ~ MBR200200CTR

Numéro d'article
MBR200200CTR
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Matrices
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Numéro d'article MBR200200CTR
État de la pièce Active
Configuration de diode 1 Pair Common Anode
Type de diode Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) 100A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 920mV @ 100A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 3mA @ 200V
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Twin Tower
Package de périphérique fournisseur Twin Tower

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