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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ UH2C-M3/52T

Número de pieza	UH2C-M3/52T
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	150V
Corriente - promedio rectificado (Io)	2A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.05V @ 2A
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	35ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	2µA @ 150V
Capacitancia @ Vr, F	42pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	DO-214AA, SMB
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 175°C

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
UH2C-E3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA		0	Detalles
UH2C-E3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA		0	Detalles
UH2C-M3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 2A SMA	-	26257	Detalles
UH2C-M3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 2A SMA	-	26254	Detalles
UH2CHE3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA		0	Detalles
UH2CHE3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA		0	Detalles
UH2CHE3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA		0	Detalles
UH2CHE3_A/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA		0	Detalles