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| Número de pieza | U1B-M3/5AT |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 1A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 920mV @ 1A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 15ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Capacitancia @ Vr, F | 6.8pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | DO-214AC, SMA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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U1B-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 0 | Detalles |
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U1B-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 0 | Detalles |
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U1B-M3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 810886 | Detalles |
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U1B-M3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | - | 810886 | Detalles |