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| Número de pieza | SQ1464EEH-T1_GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 440mA (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.41 Ohm @ 2A, 1.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 430mW (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SC-70-6 |
| Paquete / caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SQ1464EEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 60V SC-70 | - | 412864 | Detalles |