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| Número de pieza | BYV26E-TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Avalanche |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 1A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.5V @ 1A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 75ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 1000V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | SOD-57, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOD-57 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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BYV10-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | - | 5000 | Detalles |
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BYV10ED-600PJ | WeEn Semiconductors | BYV10ED-600P/DPAK/REEL 13" Q1/ | - | 0 | Detalles |
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BYV10EX-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F | - | 0 | Detalles |
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BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2 | - | 0 | Detalles |
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BYV12-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | - | 0 | Detalles |
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BYV12-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | - | 0 | Detalles |
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BYV13-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | - | 0 | Detalles |
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BYV13-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A SOD57 | - | 0 | Detalles |
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BYV14-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | - | 0 | Detalles |
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BYV14-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57 | - | 0 | Detalles |
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BYV15-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | - | 0 | Detalles |
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BYV15-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 800V 1.5A SOD57 | - | 0 | Detalles |